Idler beam quality at 6.3 μm from HgGa2S4 OPO is compared for linear, planar ring and RISTRA cavities. The last one produces smooth, circular profile and much higher focal fluence. © 2014 OSA.

HgGa2S4-based RISTRA OPO pumped at 1064 nm

Reza M.;
2014-01-01

Abstract

Idler beam quality at 6.3 μm from HgGa2S4 OPO is compared for linear, planar ring and RISTRA cavities. The last one produces smooth, circular profile and much higher focal fluence. © 2014 OSA.
2014
978-1-55752-999-2
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11382/544234
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
social impact